Влияние допирования на сверхпроводящие свойства Sm(1-x)Th(x)OFeAs: наблюдение эффекта внутренних многократных андреевских отражений и определение параметров сверхпроводящего состояниястатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.
Аннотация:Проведены исследования контактов на микротрещине (техника "break-junction") типа SNS и S-N-S-N-...-S (где S = сверхпроводник, N = нормальный металл), созданных в поликристаллах сверхпроводника Sm(1-x)Th(x)OFeAs с критическими температурами Тc = (34-45) K. В таких контактах наблюдались эффекты (внутренних) многократных андреевских отражений. С помощью спектроскопий, основанных на этих эффектах, было установлено наличие двух независимых параметров порядка и определены их величины. Теоретический анализ температурных зависимостей большой и малой щели показал, что сверхпроводящие свойства Sm(1-x)Th(x)OFeAs определяются, в основном, внутризонным взаимодействием, причем (V_11 * V_22)^0.5 / V_12 ~= 14 (где V_ij – матричные элементы электрон-бозонного взаимодействия), а отношение плотностей состояний в зонах с малой и большой щелью, N2/N1, соответственно, составляет примерно порядок. Оценены "собственные" значения характеристических отношений БКШ в гипотетическом случае отсутствия межзонного взаимодействия (V_{i≠j} = 0) для каждого из конденсатов, 2Δ_{L,S} / kTc^{L,S} < 4.5. Эти величины остаются постоянными в исследованном интервале критических температур и соответствуют случаю сильного внутризонного электрон-фононного взаимодействия.