Ионизационная реакция в полупроводниковых структурах при облучении рентгеновским излучением фемтосекундного лазерно-плазменного источникастатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 14 августа 2017 г.
Аннотация:Проанализированы возможности применения фемтосекундного лазерно-плазменного источника рентгеновского излучения для моделирования эффектов воздействия отдельных ядерных частиц на основе принципа генерации эквивалентного заряда. Обоснованы параметры воздействия рентгеновского излучения фемтосекундной длительности для экспериментального моделирования одиночных радиационных эффектов. Описана экспериментальная установка, формирующая рентгеновское излучение. Представлены результаты сравнительного моделирования ионизационной реакции в простых электронных изделиях с помощью кодов FLUKA и GEANT.