Аннотация:Представлены результаты комплементарных исследований пленок Al, выращенных методом магнетронно-
го распыления при комнатной температуре. Пленки получены на стандартных подложках кремния Si(111)
без и с предварительно выращенным на их поверхности при 400◦C алюминиевым (гомобуферного) слоем
20 nm. Взаимозависимость морфологии, микроструктуры и твердости пленок Al от состояния поверхности
подложек изучена методами HRXRR, XRD, SEM, EDS, AFM, Nano Indenter (ASTM). Показано, что
формирование на поверхности подложек гомобуферных слоев дает возможность управлять структурными
и механическими свойствами тонких пленок алюминия.