Влияние кристаллографической ориентации подложки на скорость роста анодного оксида алюминия в H2SeO4

Девянина, Н.П.; Кушнир, С.Е.; Росляков, И.В.; Лысков, Н.В.; Напольский, К.С.

Авторы: Девянина Н.П., Кушнир С.Е., Росляков И.В., Лысков Н.В., Напольский К.С.
Сборник: XXII Конференция молодых ученых «Актуальные проблемы неорганической химии: энергия +»
Том: 1
Тезисы
Год издания: 2023
Место издания: ООО «МЕСОЛ» г. Москва Красновидово
Первая страница: 78
Последняя страница: 79
Аннотация: Анодный оксид алюминия (АОА) – материал, получаемый в ходе электрохимического окисления алюминия, в структуре которого имеются вертикальные поры субмикронного размера. АОА прост в производстве, масштабируем, обладает высокой химической, термической и механической стабильностью. Анодирование алюминия в кислых электролитах при периодически изменяющихся напряжении или плотности тока может быть использовано для формирования одномерных фотонных кристаллов (ФК) – материалов с упорядоченной структурой, приводящей к возникновению фотонных запрещённых зон (ФЗЗ) в оптическом диапазоне. Недостатком данного метода является зависимость кинетики формирования плёнок АОА от кристаллографической ориентации Al подложки, вызывающей отклонение положения ФЗЗ на различных участках образца и снижения коэффициента добротности пиков при съёмке спектров с области, включающей несколько зёрен.Целью данной работы было изучить влияние напряжения и кристаллографической ориентации на скорость роста АОА и относительный сдвиг положения ФЗЗ ФК, полученных анодированием металла в H2SeO4.
Добавил в систему: Девянина Надежда Петровна

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИПМех РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИПМех РАН

Влияние кристаллографической ориентации подложки на скорость роста анодного оксида алюминия в H2SeO4тезисы доклада

Прикрепленные файлы