Аннотация:Методами измерения плотности, микротвердости, температурной зависимостиэлектропроводности, рентгенофазового анализа и оптической микроскопии зака-ленных образцов исследована кинетика и механизм превращений при объемнойизотермической кристаллизации полупроводниковых стекол AsSe1.5Рbx (х = 0, 0.025,0.13) в интервале температур 210−340°С. Анализ кинетики валовой объемной кри-сталлизации стекол выполнен по данным измерения плотности с использованиемуравнения Колмогорова–Аврами, обобщенного на ступенчатые и неполные изотер-мические превращения.