Структурные превращения и формирование микро- и наноструктур в тонких пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников

Заботнов, С.В.; Кашкаров, П.К.; Колобов, А.В.; Козюхин, С.А.

Авторы: Заботнов С.В., Кашкаров П.К., Колобов А.В., Козюхин С.А.
Журнал: Российские нанотехнологии
Том: 18
Номер: 6
Год издания: 2023
Издательство: НИЦ «Курчатовский институт»
Местоположение издательства: Москва
Первая страница: 723
Последняя страница: 736
DOI: 10.56304/s1992722323060158
Аннотация: Халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП) представляют фундаментальный и прикладной интерес как материалы, в которых в результате внешних воздействий могут быть эффективно реализованы обратимые структурные превращения внутри аморфной фазы и фазовые переходы в кристаллическое состояние, получены разнообразные микро- и наноструктуры. Одним из наиболее перспективных способов таких модификаций ХСП является импульсное лазерное облучение, представляющее собой бесконтактную технологию локального воздействия и позволяющее в широких пределах изменять структурные, оптические и электрофизические свойства образцов, в том числе за счет прецизионного формирования микро- и нанорельефа поверхности и высокого контраста по проводимости и показателю преломления между кристаллической и аморфной фазами. Представлен обзор ключевых работ по структурной модификации тонких пленок из наиболее широко изученных бинарных и тройных соединений ХСП (As2S3, As2Se3, Ge2Sb2Te5 и др.) с целью использования облученных образцов в качестве метаповерхностей для приложений фотоники и перспективных фазопеременных носителей информации.
Добавил в систему: Заботнов Станислав Васильевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИПМех РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИПМех РАН

Структурные превращения и формирование микро- и наноструктур в тонких пленках халькогенидных стеклообразных полупроводниковстатья

Прикрепленные файлы