Аннотация:Проведено моделирование тока, генерированного излучением из слоя 63Ni переменной толщины, с учетом реального спектра излучаемых электронов и распределения их по углам для GaN. На основе этих и полученных ранее результатов для SiC и Si оценена эффективность детекторов бета-излучения из этих материалов. С помощью растрового электронного микроскопа исследована эффективность детекторов бета-излучения на основе кремния и SiC в условиях, соответствующих бета-излучению из пленки Ni толщиной 3 мкм и активностью 10 мКи/см2. Показано, что эффективность реальных структур на основе кремния практически не уступает эффективности структур на основе SiC.