|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Морфология наноразмерных пленок аморфного Si, полученных при различных температурах осаждения методом CBPLDстатья
- Авторы: Рочева В.В., Хайдуков Е.В., Панченко В.Я., Новодворский О.А.
- Сборник: Труды Всероссийской научной школы для молодежи " Концентрированные потоки энергии в индустрии наносистем, материалов и живых систем"
- Год издания: 2009
- Место издания: МИЭМ Москва
- Первая страница: 290
- Последняя страница: 294
- Аннотация: The Si thin films on sapphire substrates (0001) at deposition temperatures from 20 0С to650 0С have been obtained. The deposition was performed in the vacuum chamber at 10-6 Torrresidual pressure, the Si target was ablated by a Q-switching YAG: Nd3+ laser λ=1,06 μmradiation; crossed-beam pulsed laser deposition method (CBPLD) used here makes it possible toavoid drops and clusters falling on the film surface. By the X-ray diffraction method it wasestablished that all the deposited films were amorphous. The dependence of films morphology ondeposition temperature has been investigated by the atomic-force microscopy (AFM) method. Thefilms surface analysis by the АFМ method showed that there exists the optimum depositiontemperature at which the surface has the homogeneous smooth character with the roughness below1 nm.
- Добавил в систему: Панченко Владислав Яковлевич