|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Planar tunneling Hall effect in two-layer systemстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 10 апреля 2024 г.
- Авторы: Zhuravlev Mikahil, Alexandrov Artem, Vedyayev Anatoly
- Журнал: Journal of Magnetism and Magnetic Materials
- Том: 595
- Год издания: 2024
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Номер статьи: 171551
- DOI: 10.1016/j.jmmm.2023.171551
- Аннотация: We investigate planar Hall effect and related phenomena in the two-layer system consisting of ferroelectric barrier with spin–orbit coupling and thin ferromagnetic layers. We demonstrate that planar Hall effect in this system is a size effect which originates from finite thickness of ferromagnetic layer and spin–orbit coupling linear in wave number in the barrier. Our calculations reveal that Hall current, spin Hall current and spin accumulation in the barrier layer as well as in the ferromagnetic layer can be manipulated by the reversal of electrical polarization of the barrier and by changing the direction of magnetization.
- Добавил в систему: Перов Николай Сергеевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Полный текст статьи | 2024_JMMM_595_171551.pdf | 951,6 КБ | 26 марта 2024 [perov] |