|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Effect of Repulsive Electronic States on the Parameters of the Fine Structure of the Ground Electronic State of an OH Radicalстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 19 июня 2024 г.
- Авторы: Kozlov S.V., Pazyuk E.A., Stolyarov A.V.
- Журнал: Russian Journal of Physical Chemistry A
- Том: 98
- Номер: 5
- Год издания: 2024
- Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
- Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
- Первая страница: 89
- Последняя страница: 95
- DOI: 10.1134/S0036024424050169
- Аннотация: Calculations of the contribution from excited electronic states to parameters of the fine structure of the ground electronic state of an OH radical are made in the context of the mechanism of perturbation theory (Van Vleck contact transformations). The potential energy functions of the electronic states and required matrix elements of spin-orbit and rotation-electronic coupling are found from first principles. It is shown that repulsive (divergent) excited electronic states play a crucial role in the dependence of parameters of the fine structure of the ground state on the magnitude of the vibrational excitation.
- Добавил в систему: Козлов Сергей Владимирович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|