Аннотация:В последнее время всё больше возрастает интерес к мощным импульсным полупроводниковымлазерам. Это объясняется их высокой эффективностью, а также широкими возможностями практического применения этих источников света, в частности, для передачи данных в открытом пространстве, метрологии, системы машинного видения (LiDAR) и т.п. Обычно генераторы лазерныхимпульсов имеют в своем составе полупроводниковый лазер и внешний источник импульсного тока накачки. Такой подход обладает рядом недостатков, связанных с необходимостью согласованияполупроводникового лазера с источником накачки, наличием паразитных связей, проявляющихсяпри генерации мощных токовых импульсов, снижающих общую энергетическую эффективностьи быстродействие системы. Кроме этого, использование внешних источников не всегда позволяетреализовать преимущество полупроводниковых лазеров, связанное с малыми размерами. Особуюсложность задача реализации импульсной токовой накачки приобретает при построении систем,включающих сотни и тысячи одиночных излучателей, как мощных, так и маломощных. Здесь,помимо требований к силовой части источника, возникает вопрос об энергетической эффективности генерируемых сигналов управления такой системой. Наиболее перспективным решениемявляется использование приборов, объединяющих функции импульсных источников с малосигнальным управлением и лазерных излучателей. Интеграция мощного быстродействующего ключас эффективной лазерной гетероструктурой позволила показать возможность генерации оптическихимпульсов с длительностью менее 10 нс.
