|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Amorphization of Silicon Nanowires upon Irradiation with Argon Ionsстатья Исследовательская статья
- Авторы: Kononina A.V., Balakshin Yu V., Gonchar K.A., Bozhev I.V., Shemukhin A.A., Chernysh V.S.
- Журнал: Technical Physics Letters
- Том: 50
- Номер: 2
- Год издания: 2024
- Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
- Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
- Первая страница: 125
- Последняя страница: 128
- DOI: 10.1134/s1063785023170121
- Аннотация: The irradiation of silicon nanowires with Ar+ ions with the energy of 250 keV and fluences of 10e13to 10e16 cm–2 was carried out. The dependence of the destruction of the structure under ion irradiation on the fluence was investigated by Raman spectroscopy. It was shown that the amorphization of porous silicon occurs at higher values of displacement per atom than in thin silicon films.
- Добавил в систему: Балакшин Юрий Викторович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|