ВЛИЯНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ РОСТА НА КОНЦЕНТРАЦИЮ ОПТИЧЕСКИ-АКТИВНЫХ ЦЕНТРОВ МОНОКРИСТАЛЛОВ Mg2SiO4:Crстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:В работе изучены кристаллы форстерита Mg2SiO4 с ионами хрома, выращенные методом Чохральского в диапазоне изменения парциального давления кислорода (РО2) 30 – 780 Па. Комплексное исследование, проведенное методом ЭПР спектроскопии в высокочастотной области и Х-диапазоне показало, что при изменении РО2 от 30 до 90 Па наблюдается резкое возрастание концентрации ионов Cr4+, которое сопровождается уменьшением концентрации ионов Cr2+ при неизменном содержании центров трехвалентного хрома и общей концентрации примеси.