|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Electroluminescence and band structure in p-Al(x)Ga(1-x)As/GaAs(1-y)P(y)/n-Al(x)Ga(1-x)As under uniaxial compressionстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Andreev E.V., Bogdanov E.V., Kissel H., Kolokolov K.I., Minina N.Ya, Shirokov S.S., Yunovich A.E.
- Журнал: High Pressure Research
- Том: 29
- Номер: 4
- Год издания: 2009
- Издательство: Taylor & Francis
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 495
- Последняя страница: 499
- DOI: 10.1080/08957950903457770
- Аннотация: Band structure calculations in p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs heterostructure under uni-axial compression in the [110] direction indicates an increase in the optical energy gap with dEph/dP approximate to 85 meV/GPa, a decrease in the quantum well barriers and light hole-heavy hole crossover at uniaxial stress P approximate to 450-500 MPa. The observed increase in electroluminescence intensity and photon energy shift under uni-axial compression are explained by numerical calculation data.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна