|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Подсистема TCAD- и SPICE-моделирования элементов кремниевых БИС с учетом влияния температуры, радиации и старениястатья Исследовательская статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК- Авторы: Петросянц К.О., Исмаил-Заде М.Р., Кожухов М.В., Попов Д.А., Пугачёв А.А., Самбурский Л.М., Силкин Д.С., Харитонов И.А.
- Журнал: Наноиндустрия
- Том: 15
- Номер: S8-1 (113)
- Год издания: 2022
- Издательство: АО "Рекламно-издательский центр "Техносфера"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 183
- Последняя страница: 194
- DOI: 10.22184/1993-8578.2022.15.8s.183.194
- Аннотация: The paper highlights RAD-THERM-AGING versions of TCAD and SPICE models developed for BiCMOS VLSI components with submicron and nanometer sizes, taking into account various types of radiation effects, temperatures in the wide range of -260...+300 °C and aging during long-term operation.
- Добавил в систему: Кожухов Максим Владимирович