|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Relaxation of low-temperature negative photoconductivity in p-GaAs/Al0.5Ga0.5As: Be and deep traps near the heterointerfaceстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Minina N.Y., Bogdanov E.V., Il’evskii A.A., Kraak W.
- Журнал: Physics of the Solid State
- Том: 48
- Номер: 11
- Год издания: 2006
- Издательство: Pleiades Publishing, Ltd
- Местоположение издательства: Road Town, United Kingdom
- Первая страница: 2216
- Последняя страница: 2219
- DOI: 10.1134/S106378340611032
- Аннотация: Relaxation to the dark state of the negative photoconductivity generated in p-GaAs/Al0.5Ga0.5As:Be heterostructures at liquid-helium temperatures under red illumination is investigated. The relaxation is studied at different temperatures in the range where the negative photoconductivity persists (T < 6 K) and under uniaxial compression of up to 1.7 kbar. It is demonstrated that a model assuming the existence of deep donorlike traps with a low thermal activation barrier E(B) = 2.0 ± 0.3 meV near the heterointerface offers a fairly good quantitative description of the relaxation processes.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна