Одноэлектронный транзистор с островом из нескольких примесных атомов фосфорастатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.
Аннотация:В работе экспериментально исследован электронный транспорт через одиночные при-
месные атомы фосфора, внедренные в кристаллическую структуру кремния. Разработан
оригинальный метод изготовления из высоколегированного кремния на изоляторе наноструктур
одноэлектронных транзисторов на основе единичных примесных атомов в кремнии. Метод
изготовления основан на технологических процессах повсеместно используемых в полупровод-
никовой наноэлектронике, что делает возможным его широкое применение.