|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Thermally activated negative photoconductivity below 6 K in p-GaAs/Al0.5Ga0.5As heterostructures and the effect of uniaxial compressionстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Minina N.Y., Il’evskii A.A., Kraak W.
- Журнал: JETP Letters
- Том: 82
- Номер: 10
- Год издания: 2005
- Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 652
- Последняя страница: 657
- Аннотация: В гетероструктурах p-GaAs/Al0.5Ga0.5As:Be обнаружена термоактивационная отрицательная фотопроводимость, которая возникает при облучении красным светом, существует ниже 6 К и сопровождается сильным падением концентрации и подвижности 2D дырок в квантовой яме с понижением температуры, особенно в условиях одноосного сжатия. Показано, что это явление хорошо количественно описывается существованием на расстоянии около 7 нм от гетерограницы слоя глубоких донороподобных ловушек с низкой величиной термоактивационного барьера E_B= (3.0+-0.5) мэВ, который не меняется с деформацией. Предполагается, что такими ловушками могут быть диффундирующие из активного слоя атомы акцепторной примеси Be, находящиеся в межузельном пространстве.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна