|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Negative and persistent photoconductivity in p-type Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As heterostructures under uniaxial stressстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: Kraak W., Minina N., Savin A.M., Spangenberg T., Hansen O.P., Sorensen C.B.
- Журнал: High Pressure Research
- Том: 18
- Номер: 1-6
- Год издания: 2000
- Издательство: Taylor & Francis
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 57
- Последняя страница: 62
- DOI: 10.1080/08957950008200948
- Аннотация: Illumination of a double p-Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As heterostructure by a red light emitting diode results in a negative photoconductivity that, after the diode is switched off, slowly relaxes to a positive persistent photoconductivity, characterised by an approximately 1.5-fold increase of the two-dimensional hole concentration. This metastable state may be explained with a model in which deep electron traps are supposed to be located above the Fermi level on the inverted heterointerface. Under uniaxial compression the hole concentration in the persistent photoconductivity state, as well as in the dark state, demonstrates the same linear decrease.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна