Терагерцовая фотопроводимость в Hg1-xCdxTe вблизи перехода от прямого к инверсному спектру

Галеева, А.В.; Артамкин, А.И.; Михайлов, Н.Н.; Дворецкий, С.А.; Данилов, С.Н.; Рябова, Л.И.; Хохлов, Д.Р.

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 января 2018 г.

Авторы: Галеева А.В., Артамкин А.И., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Данилов С.Н., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.
Журнал: Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики"
Том: 106
Номер: 3
Год издания: 2017
Первая страница: 156
Последняя страница: 160
DOI: 10.7868/S0370274X17150061
Аннотация: Показано, что в структурах с активным элементом на основе Hg1−xCdxTe переход от прямого к ин- версному спектру сопровождается изменением знака сигналов терагерцовой фотопроводимости и магнетофотогальванического эффекта. В области составов, соответствующих инверсному спектру, кинетика фотопроводимости обнаруживает особенности, которые могут быть связаны с поверхностными топологическими состояниями.
Добавил в систему: Хохлов Дмитрий Ремович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИПМех РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИПМех РАН

Терагерцовая фотопроводимость в Hg1-xCdxTe вблизи перехода от прямого к инверсному спектрустатья

Прикрепленные файлы