|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Фазовые переходы в двумерной системе диполярных экситонов в двухъямной гетероструктуре на основе SiGe/Siстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 января 2018 г.
- Авторы: Бурбаев Т.М., Акмаев М.А., Сибельдин Н.Н., Ушаков В.В., Новиков А.В., Лобанов Д.Н.
- Журнал: Известия Российской академии наук. Серия физическая
- Том: 81
- Номер: 3
- Год издания: 2017
- Первая страница: 370
- Последняя страница: 373
- DOI: 10.7868/S036767651703005X
- Аннотация: В двумерных слоях гетероструктуры (buffer Si1 – уGeу)/tSi/sSi1 – xGex/tSi/(cap Si1 – уGeу) II рода методом спектроскопии фотолюминесценции при гелиевых температурах и высоких уровнях возбуждения исследован переход от диполярной к пространственно прямой электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ), происходящий при уменьшении толщины барьерного для электронов слоя sSi1 – xGex (квантовой ямы (КЯ) для дырок), разделяющего электронные КЯ (слои tSi). Определены основные характеристики ЭДЖ обоих типов. Определено время жизни диполярных экситонов.
- Добавил в систему: Акмаев Марк Александрович