|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
ТЕРМООКСИДИРОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР VXOY/INP, СФОРМИРОВАННЫХ ЦЕНТРИФУГИРОВАНИЕМ ГЕЛЯ ОКСИДА ВАНАДИЯ(V)статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 января 2018 г.
- Авторы: Сладкопевцев Б.В., Томина Е.В., Миттова И.Я., Донцов А.И., Пелипенко Д.И.
- Журнал: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
- Номер: 3
- Год издания: 2016
- Издательство: ФГБУ "Издательство "Наука"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 76
- Последняя страница: 81
- DOI: 10.7868/S0207352816030185
- Аннотация: Методами спектральной эллипсометрии и атомно-силовой микроскопии определен оптимальный режим нанесения наноразмерного слоя геля V2O5 на поверхность InP методом центрифугирования. Оксидированием сформированных гетероструктур VxOy/InP получены пленки, имеющие зеренную структуру, с высотой рельефа не более 70 нм (АСМ, СТМ). Присутствие неполностью окисленных компонентов хемостимулятора (VO2, V2O3) в пленках и наличие InVO4, связывающего хемостимулятор V2O5 и блокирующего тем самым цикл регенерации V+5 ↔ V+4, позволяет говорить о реализации транзитного механизма хемостимулированного оксидирования фосфида индия. Данные спектральной эллипсометрии свидетельствует о неполной кинетической блокировке диффузии индия в пленки в процессе оксидирования.
- Добавил в систему: Донцов Алексей Игоревич