|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Room Temperature Near-IR Photoluminescence and Lasing from Self-Organized Ge QDs Formed by Ion Implantation in Siliconстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 2 сентября 2018 г.
- Авторы: Balakleyskiy N.S., Gerasimenko N.N., Zaporozhan O.A., Zhigunov D.M., Sagunova I.V.
- Сборник: Laser Congress 2017 (ASSL, LAC)
- Серия: OSA Technical Digest Series
- Год издания: 2017
- Издательство: OSA - The Optical Society
- Местоположение издательства: США
- Первая страница: JM5A.13
- DOI: 10.1364/ASSL.2017.JM5A.13
- Аннотация: We report strong IR photoluminescence (PL) in the temperature range of 15 to 300 K as well as morphology measurements in Ge quantum dots (QDs) layer being grown by ion beam implantation (IBI)technique via high temperature annealing for self-organization.
- Добавил в систему: Жигунов Денис Михайлович