Forming extremely small gaps in metal nanowires and studying their propertiesстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 9 июня 2015 г.
Аннотация:A method for forming extremely small gaps (1–5 nm) in planar metallic nanowires for a new generation of nanoelectronic elements is developed using the electromigration effect. The dynamics of forming such gaps and their electrical characteristics are studied.