|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Одноэлектронный транзистор из высоколегированного кремния на изоляторестатья
- Авторы: Преснов Д.Е., Амитонов С.В., Власенко В.С., Крупенин В.А.
- Журнал: Нанотехнологии: разработка, применение — XXI век
- Номер: 2
- Год издания: 2014
- Издательство: Издательство "Радиотехника"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 37
- Последняя страница: 41
- Аннотация: Разработан метод изготовления одноэлектронного транзистора из высоколегированного мышьяком кремния на изоляторе (КНИ). Легирующая примесь с концентрацией более 1020 см-3 была сосредоточена в верхнем слое кремния толщиной 55 нм. Формирование элементов структуры одноэлектронного транзистора происходило с помощью серии последовательных процессов анизотропного и изотропного травления во фторсодержащей плазме с промежуточным контролем электрических параметров. Измерены вольтамперные и модуляционные характеристики экспериментальных структур при температуре 4,2 К. Дан анализ возможности использования кремниевого одноэлектронного транзистора в качестве сверхчувствительного зарядового/полевого сенсора для широкого круга задач.
- Добавил в систему: Преснов Денис Евгеньевич