Температурные и деформационные зависимости длины волны и поляризации излучения диодов на основе гетероструктур p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs

Авторы: Богданов Е.В., Колоколов К.И., Минина Н.Я.
Сборник: Тезисы докладов XIII Российской конференция по физике полупроводников, 2 – 6 октября 2017г., Екатеринбург, Россия
Тезисы
Год издания: 2017
Место издания: ИФМ УрО РАН г. Екатеринбург
Первая страница: 122
Аннотация: В настоящей работе представлены результаты численных расчетов эффекта влияния на длину волны и поляризацию излучения лазерных диодов на основе гетероструктур p-Al{x}Ga{1-x}As/GaAs{1-y}P{y}/n-Al{x}Ga{1-x}As температуры, а также анизотропных деформаций, которые могут возникнуть в результате внешних механических или температурных воздействий.
Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИПМех РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА