|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Formation of Periodic Nanometer Structures in a Defect–Strain system and laser-induced amorphization of semiconductorsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 22 декабря 2014 г.
- Автор: Emel'yanov V.I.
- Журнал: Laser Physics
- Том: 6
- Номер: 2
- Год издания: 1996
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: 423
- Последняя страница: 426
- Аннотация: It is demonstrated that as the concentration of laser-induced defects (interstices and vacancies)becomes higher than a critical concentration, a crystal is split into nanometer domains separated by defect walls. The results of this analysis are used to develop a model of laser-induced amorphization of crystals.
- Добавил в систему: Емельянов Владимир Ильич