Formation of Periodic Nanometer Structures in a Defect–Strain system and laser-induced amorphization of semiconductorsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 22 декабря 2014 г.
Местоположение издательства:[Bristol, UK], England
Первая страница:423
Последняя страница:426
Аннотация:It is demonstrated that as the concentration of laser-induced defects (interstices and vacancies)becomes higher than a critical concentration, a crystal is split into nanometer domains separated by defect walls. The results of this analysis are used to develop a model of laser-induced amorphization of crystals.