Experimental determination of the subband effective mass and the electron mobility in the isomorphic InGaAs quantum well with InAs inserts on InP substrate

Kulbachinskii, V.A.; Oveshnikov, L.N.; Lunin, R.A.; Yuzeeva, N.A.; Losev, G.D.; Galiev, G.B.; Klimov, E.A.; Maltsev, P.P.

Experimental determination of the subband effective mass and the electron mobility in the isomorphic InGaAs quantum well with InAs inserts on InP substrateстатья

Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 9 июня 2015 г.

Авторы: Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Losev G.D., Galiev G.B., Klimov E.A., Maltsev P.P.
Сборник: Proceedings, 22nd International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, June 23-27, St. Petersburg
Год издания: 2014
Место издания: A.I. Ioffe Institute Saint Petersburg
Первая страница: 39
Последняя страница: 40
Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИПМех РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИПМех РАН

Experimental determination of the subband effective mass and the electron mobility in the isomorphic InGaAs quantum well with InAs inserts on InP substrateстатья