|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Анизотропия подвижности двумерных электронов и дырок в гетероструктурах на основе GaAs/AlGaAs при одноосном сжатиитезисы доклада
- Авторы: Богданов Е.В., Минина Н.Я., Савин А.М., Соренсен К.Б., Хансен О.П.
- Сборник: V Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов
- Тезисы
- Год издания: 2001
- Место издания: Нижний Новгород
- Первая страница: 289
- Аннотация: При сжатии изменение анизотропии подвижности двумерных электронов и дырок качественно различалось. В образцах n-типа подвижность носителей вдоль [1-10] и [110] изменялись под нагрузкой подобным образом, качественно следуя поведению концентрации электронов. При этом небольшое (около 10%) увеличение отношения величин может быть полностью связано с влиянием концентрации носителей на рассеяние. В образцах р-типа подвижность дырок всегда возрастала в направлении сжатия и падала в перпендикулярном. В результате, при сжатии вдоль [110] отношение подвижностей уменьшалось до 0.5 при нагрузке 4-5 кбар, тогда как сжатие вдоль [1-10] вызывало монотонный рост анизотропии подвижности, и их отношение могло вдвое превзойти начальное значение. Такое поведение подвижности дырок находится в согласии с рассчитанным сильным изменением анизотропии поверхности Ферми дырок при сжатии.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна