|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Анизотропия подвижностей носителей заряда в гетероструктурах на основе GaAs/AlGaAs при одноосном сжатиитезисы доклада
- Авторы: Полянский А.В., Богданов Е.В., Минина Н.Я.
- Сборник: Третья всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тезисы докладов
- Тезисы
- Год издания: 2001
- Место издания: Санкт-Петербург
- Первая страница: 57
- Аннотация: Проводится сравнение наблюдаемой анизотропии подвижностей в гетероструктурах p- и n-типа при одноосном сжатии. Анизотропия подвижности двумерных дырок при сжатии сильно возрастает в связи с сильным изменением анизотропии поверхности Ферми с деформацией. Анализ данных об изменении концентрации и подвижности носителей в структурах n-типа свидетельствует лишь о возрастании анизотропного рассеяния на шероховатостях гетерограницы.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна