Аннотация:Исследованы сопротивление, осцилляции Шубникова - де Гааза и эффект Холла при температурах 1.4-4.2 К в полях до 6 Т на гетероструктурах GaAs/AlGaAs n- и p-типа проводимости в условиях одноосного сжатия. Установлено, что при сжатии изменение анизотропии подвижности двумерных электронов и дырок качественно различалось. В образцах n-типа подвижности вдоль направлений [1-10] и [110] изменялись под нагрузкой подобным образом, качественно следуя поведению концентрации электронов. При этом небольшое (около 10%) увеличение отношения этих величин может быть полностью связано с влиянием концентрации носителей на рассеяние. В образцах р-типа подвижность дырок всегда возрастала в направлении сжатия и падала в перпендикулярном. В результате, при сжатии вдоль [110] отношение компонент тензора подвижности уменьшалось до 0.5 при нагрузке 4-5 кбар, тогда как сжатие вдоль [1-10] вызывало монотонный рост анизотропии подвижности, и отношение компонент тензора подвижности могло вдвое превзойти начальное значение. Такое поведение подвижности дырок находится в согласии с рассчитанным сильным изменением анизотропии поверхности Ферми дырок при сжатии.