|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Фотоиндуцированная термоактивируемая проводимость в р-GaAs/Al0.5Ga0.5As ниже 5 К при одноосном сжатиитезисы доклада
- Авторы: Краак В., Богданов Е.В., Минина Н.Я., Ильевский А.А., Соренсен К.Б.
- Сборник: 33 Всероссийское совещание по физике низких температур. Тезисы докладов секций S и N: “Сверхпроводимость” и “Наноструктуры и низкоразмерные системы”
- Тезисы
- Год издания: 2003
- Место издания: Екатеринбург
- Первая страница: 226
- Последняя страница: 227
- Аннотация: Обнаружено, что при освещении гетероструктуры p GaAs/Al0.5Ga0.5As красным светодиодом при температурах жидкого гелия возникает отрицательная фотопроводимость, которая при выключении подсветки медленно релаксирует к темновому значению. Отрицательная фотопроводимость сильно зависит от температуры и исчезает уже при 5.5 К. Энергия термоактивации оценена из температурной зависимости концентрации двумерных дырок в квантовой яме и составляет ~1 мэВ. При одноосном сжатии эта величина возрастает.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна