|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Transformation of the Fermi surface and anisotropy phenomena in 2D hole gas at GaAs/AlXGa1-XAs heterointerface under uniaxial stressстатья
- Авторы: Minina N.Ya, Kolokolov K.I., Beneslavski S.D., Bogdanov E.V., Polyanskiy A.V., Savin A.M., Hansen O.P.
- Сборник: Conference Workbook. The 15th Int. Conf. on Electronic Properties of Two-Dimensional Systems. Nara, Japan, July 14 - July 18, 2003
- Год издания: 2003
- Место издания: Nara (Japan)
- Первая страница: 606
- Последняя страница: 609
- Аннотация: Используя гамильтониан Латтинджера-Кона с учетом слагаемых, обусловленных деформацией с учетом слагаемых, найден закон дисперсии, волновые функции дырок в квантовой яме, возникающий на гетерогранице GaAs/AlxGa1-xAs. Определенные по этим результатам деформационные зависимости формы поверхности Ферми и анизотропии эффективных масс позволяют объяснить экспериментально наблюдаемую барическую зависимость анизотропии подвижности дырок при одноосном сжатии. Теоретически рассчитанные значения коэффициента поглощения в далеком инфракрасном диапазоне демонстрирует сильную чувствительность его к величине одноосной деформации и степени поляризации излучения.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна