|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Negative photoconductivity in p-GaAs/Al0.5Ga0.5As below 5K under illumination and uniaxial stressтезисы доклада
- Авторы: Minina N.Ya, Ilievsky A.A.
- Сборник: International Conference for Physical Students. Conference Handbook. Odence, Denmark. 7-14 of August 2003
- Тезисы
- Год издания: 2003
- Место издания: Odence (Denmark)
- Первая страница: 44
- Последняя страница: 45
- Аннотация: Обнаружено, что в гетероструктурах p-GaAs/Al0.5Ga0.5As при температурах ниже 5.5 К сопротивление в освещенном состоянии проявляет термоактивационный характер, в то время как темновая зависимость сопротивления сохраняет металлический характер. Приложение одноосного сжатия сильно увеличивает эффект термоактивации. В освещенном состоянии при P = 4.4 кбар и T = 1.5 K сопротивление более чем на два порядка выше, чем в темновом ненагруженном состоянии. Предполагается, что данное явление связывается с существованием глубоких донорных уровней, расположенных вблизи гетерограницы.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна