|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Долговременные релаксационные процессы в гетероструктурах p GaAs/AlGaAs, индуцированные освещением при температуре ниже 5.5 Ктезисы доклада
- Авторы: Ильевский А.А., Минина Н.Я.
- Сборник: Девятая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых. Сборник тезисов
- Том: 1
- Тезисы
- Год издания: 2003
- Место издания: Красноярск
- Первая страница: 163
- Последняя страница: 164
- Аннотация: Работа посвящена исследованию долговременных релаксаций проводимости и концентрации двумерных дырок, которые наблюдаются в гетероструктурах p-GaAs/Al0.5Ga0.5As в области гелиевых температур в условиях освещения красным светодиодом с длиной волны 660 нм.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна