|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
О глубоких уровнях с малой величиной термоактивационного барьера вблизи гетерограницы GaAs/AlGaAsтезисы доклада
- Авторы: Ильевский А.А., Минина Н.Я.
- Сборник: Десятая Всероссийская Научная Конференция Студентов-физиков и молодых ученых. Сборник тезисов
- Том: 1
- Тезисы
- Год издания: 2004
- Место издания: Москва
- Первая страница: 423
- Последняя страница: 425
- Аннотация: В работе исследуется эффект отрицательной фотопроводимости, вызываемый освещением красного светодиода, в гетероструктурах p-GaAs/AlGaAs и p-AlGaAs/GaAs/AlGaAs при гелиевых температурах. Предполагается, что данный эффект связан с существованием глубоких донороподобных уровней, расположенных вблизи гетерограницы немного ниже уровня Ферми. Величина термоактивационного барьера для этих уровней, отсчитанная от темнового уровня Ферми, составляет приблизительно 3 мэВ как в одиночных GaAs/AlGaAs, так и в двойных гетероструктурах AlGaAs/GaAs/AlGaAs.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна