Аннотация:В работе исследуется эффект отрицательной фотопроводимости, вызываемый освещением красного светодиода, в гетероструктурах p-GaAs/AlGaAs и p-AlGaAs/GaAs/AlGaAs при гелиевых температурах. Предполагается, что данный эффект связан с существованием глубоких донороподобных уровней, расположенных вблизи гетерограницы немного ниже уровня Ферми. Величина термоактивационного барьера для этих уровней, отсчитанная от темнового уровня Ферми, составляет приблизительно 3 мэВ как в одиночных GaAs/AlGaAs, так и в двойных гетероструктурах AlGaAs/GaAs/AlGaAs.