|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Глубокие уровни в гетероструктурах p-Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5Asтезисы доклада
- Авторы: Ильевский А.А., Зайцев А.Н., Минина Н.Я.
- Сборник: Шестая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тезисы докладов. Санкт-Петербург, 6-10 декабря 2004 г
- Тезисы
- Год издания: 2004
- Место издания: Санкт-Петербург
- Первая страница: 82
- Аннотация: В работе исследовано термоактивационное поведение коэффициента Холла в двойной гетероструктуре p-Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As в широком диапазоне температур от 1.5 до 200-250 К при облучении красным светодиодом. Анализ термических зависимостей концентрации двумерных дырок позволил оценить высоту термоактивационного барьера для донороподобных уровней. Установлено, что для уровней на нормальной гетерогранице его величина составляет приблизительно 3 мэВ и около 6 мэВ на инвертированной гетерогранице.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна