Аннотация:В работе исследуется подвижность носителей в условиях эффекта отрицательной фотопроводимости (ОФП), вызываемого освещением красным светодиодом, в гетероструктурах p-GaAs/AlGaAs при гелиевых температурах. Модельными расчетами показано, что уменьшение подвижности в состоянии низкотемпературной термоактивационной ОФП обусловлено в основном рассеянием на ионизированных в процессе освещения глубоких донороподобных центрах. Согласно расчетам, эти ловушки расположены на расстоянии 7 – 48 нм от гетерограницы, а их вклад в процессы рассеяния и, соответственно, в уменьшение подвижности становится более сильным при приложении одноосной нагрузки.