Определяющая роль дефектов на гетерограницах структур на основе GaAs p-типа в транспортных свойствах 2D дырок при комбинированном воздействии освещения и одноосного сжатиятезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.
Аннотация:В работе сообщается об исследовании эффекта отрицательной фотопроводимости, вызываемого освещением красным светодиодом, в гетероструктурах p-GaAs/AlGaAs и p-AlGaAs/GaAs/AlGaAs при гелиевых температурах. Предполагается, что данный эффект связан с существованием глубоких донороподобных уровней, расположенных по энергии немного ниже уровня Ферми. Поскольку расчеты показывают, что центры находятся в непосредственной близости от активного слоя, то соответствующие им дефекты, скорее всего, образованы легирующей примесью Be в межузельном состоянии.