|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Two-dimensional electrons at n-GaAs/AlGaAs heterointerface under uniaxial compressionтезисы доклада
- Авторы: Minina N.Ya, Bogdanov E.V., Ilievsky A.A., Polyanskiy A.V., Kraak W., Berman I.V.
- Сборник: 12th International Conference on High Pressure Semiconductor Physics
- Тезисы
- Год издания: 2006
- Место издания: Barcelona, Spain
- Первая страница: Mo-P1-30
- Аннотация: В работе сообщается об исследованиях осцилляций Шубникова-де Гааза и транспортных свойств двумерных электронов в гетероструктурах GaAs/AlхGa1-хAs:Si (х = 0.3 и 0.5) при 4.2 К и одноосном сжатии до 3.5 кбар вдоль направлений [110] и [1-10]. Установлено, что при низких температурах изменение свойств двумерных электронов при деформации обусловлено пьезоэлектрическим полем, которое направленно от подложки к гетерогранице в случае сжатия вдоль [1-10] и, наоборот, от гетерограницы к подложке, при сжатии вдоль [110].
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна