Аннотация:Гальваномагнитные эффекты в слабом магнитном поле и осцилляции Шубникова–де-Гааза в квантующих магнитных полях до 6 T были исследованы в (100) n-GaAs/AlxGa1-xAs при гелиевых температурах в условиях одноосного сжатия до нагрузок Р = 3.5 кбар в направлениях [110] и [1-10]. Установлено, что изменение транспортных свойств двумерных электронов на гетерогранице n-GaAs/AlxGa1-xAs при сжатии обусловлено главным образом появляющимся пьезоэлектрическим полем. Это поле, которое направлено от подложки к гетерогранице при сжатии вдоль [1-10] и в противоположном направлении при сжатии вдоль [110], достигает величины 11.5 кВ/см при P = 1 кбар, что сравнимо с исходным встроенным полем порядка 100 кВ/см на гетерогранице. После освещения красным светодиодом, которое приводит к задержанной фотопроводимости, зависимость концентрации 2D электронов от нагрузки демонстрирует в случае сжатия вдоль [1-10] гистерезис, который также может быть связан с вызванным пьезополем перераспределением заряда в буферном и активном слоях гетероструктуры. При сжатии вдоль направления [110] этот эффект отсутствует.