|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Polarization mode switching in p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs diodes in presence of compressive stressстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 января 2018 г.
- Авторы: Bogdanov E.V., Kolokolov K.I., Melnikova N.V., Minina N.Ya, Tikhomirova G.V.
- Журнал: Journal of Physics: Conference Series
- Том: 950
- Год издания: 2017
- Издательство: IOP Publishing
- Местоположение издательства: [Bristol, UK], England
- Первая страница: 042047-1
- Последняя страница: 042047-5
- DOI: 10.1088/1742-6596/950/4/042047
- Аннотация: В настоящей работе представлены результаты численных расчетов эффекта влияния на излучение лазерных диодов анизотропных деформаций, которые могут возникнуть в результате внешних механических или температурных воздействий, а также данные экспериментальных исследований поляризации излучения структур с квантовой ямой из GaAs0.84P0.16 шириной 14 нм при одноосном сжатии до 5 кбар вдоль направления [110].
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Bogdanov_2017_J._Phys.__Conf._Ser._950_042047.pdf | 183,6 КБ | 8 ноября 2017 [bev] |