|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Uniaxial compression influence on electroluminescence spectra in p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs heterostructuresтезисы доклада
- Авторы: Bogdanov E.V., Kissel H., Minina N.Ya, Shirokov S.S., Yunovich A.E.
- Сборник: Book of Abstracts. 46th EHPRG International Conference. Valencia. 7-11 September, 2008
- Тезисы
- Год издания: 2008
- Место издания: Valencia, Spain
- Первая страница: 212
- Аннотация: В работе сообщается о результатах изучения влияния одноосного сжатия вдоль направления [110] на спектры электролюминесценции двойных гетероструктур p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs, используемых для создания мощных лазерных диодов. Максимум излучения, наблюдаемый вблизи 753 нм при P = 0 и температуре T = 77 K, смещался при сжатии в область более коротких волн. Сдвиг максимума был полностью обратим и соответствовал росту энергии фотонов примерно на 20 мэВ при нагрузке P = 4.4 кбар, указывающему на увеличение энергетической щели в GaAs0.84P0.16 при сжатии. Результаты анализа спектров на основе модели двумерной комбинированной плотности состояний в активной области указывают на возрастание флуктуаций потенциала по мере сжатия.
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна