Electroluminescence spectra and current-voltage characteristics in laser diode structures p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs under uniaxial compressionтезисы доклада
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 мая 2015 г.
Аннотация:В работе сообщается о результатах изучения влияния одноосного сжатия вдоль направлений [110] и [1-10] на спектры электролюминесценции и вольт-амперные характеристики двойных гетероструктур p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs. При сжатии вдоль обоих направлений максимум излучения, наблюдаемый вблизи 753 нм при P = 0 и температуре 77 K, смещался в область более коротких волн, а интенсивность электролюминисценции возрастает в 2 – 3 раза при максимальных нагрузках P = 4 кбар. В то же время вольт-амперные характеристики меняются качественно различным образом: если при сжатии вдоль [110] проводимость нарастает, то при сжатии вдоль [1-10] она уменьшается. Такая трансформация вольт-амперных характеристик связывается с появлением пьезоэлектрического поля при деформации.