Аннотация:Обнаруженные при исследовании влияния одноосного сжатии до 4 кбар вдоль направлений [110] и [1-10] на спектр электролюминесценции наноструктур p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs эффекты значительного, в два и более раз, возрастания интенсивности излучения и сдвига положения максимума в коротковолновую область могут быть связаны, как показывают выполненные численные расчеты энергетического спектра, с трансформацией зонной диаграммы под нагрузкой.