Аннотация:При температуре T = 77 K и одноосном сжатии до давлений Р = 5 кбар вдоль направлений [110] и [1-10] исследованы спектры электролюминесценции в гете-роструктурах p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs, используемых для создания лазерных диодов. Профиль валентной зоны и зоны проводимости, уровни размерного квантования и волновые функции электронов и дырок в исследуемой гетероструктуре рассчитаны численным методом при внешнем одноосном сжатии вдоль направления [110].