|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Особенности электролюминесценции и перестройка спектра дырок в n AlGaAs/GaAsP/p AlGaAs при одноосном сжатиитезисы доклада
- Авторы: Богданов Е.В., Минина Н.Я., Широков С.С.
- Сборник: Тезисы докладов. Российская конференция и школа по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых) “ФОТОНИКА – 2011”. Новосибирск, 22 – 26 августа 2011 г
- Тезисы
- Год издания: 2011
- Место издания: Новосибирск, Академгородок
- Первая страница: 103
- Аннотация: При температуре T = 77 K и одноосном сжатии до давлений Р = 5 кбар вдоль направлений [110] и [1-10] исследованы спектры электролюминесценции в гете-роструктурах p-AlxGa1-xAs/GaAs1-yPy/n-AlxGa1-xAs, используемых для создания лазерных диодов. Профиль валентной зоны и зоны проводимости, уровни размерного квантования и волновые функции электронов и дырок в исследуемой гетероструктуре рассчитаны численным методом при внешнем одноосном сжатии вдоль направления [110].
- Добавил в систему: Минина Наталья Яковлевна