|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Lern-term relaxation effects in In1-XGaXTe, In1-xTlxTe and InTe1-XSeX semiconductor solid solutionsтезисы доклада
- Авторы: Albul A.V., Bogdanov E.V., Demin V.N., Lebedev A.I., Utenkov S.V.
- Сборник: Fifth Int. Conf. on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics. Abstracts. Kyev, Ukraine, 22 May - 24 May, 2000
- Тезисы
- Год издания: 2000
- Место издания: Kyev, Ukraine
- Первая страница: 61
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович