|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Эффект резистивного переключения в полимерных материалах и энергонезависимая память на его основестатья
- Авторы: Котова М.С., Дронов М.А., Белогорохов И.А.
- Журнал: Научно- технические ведомости СПбГПУ
- Том: 2
- Номер: 146
- Год издания: 2012
- Первая страница: 37
- Последняя страница: 40
- Аннотация: В настоящее время интенсивно развиваются новые технологии создания устройств памяти. Приоритетными являются задачи, связанные с улучшением быстродействия, увеличением объема памяти, созданием компактных энергонезависимых устройств, обладающих низкой стоимостью. Имеющиеся элементы памяти не способны сочетать в одном устройстве все перечисленные характеристики. Флэш-память является энергонезависимой, но при этом обладает низкой скоростью записи и удаления информации. DRAM – динамическая память с произвольным доступом, обладает высокой скоростью записи, но не является энергонезависимой. В качестве памяти, совмещающей в себе все перечисленные преимущества, может использоваться резистивная память, в основе которой лежит эффект переключения между состояниями с различающимися сопротивлениями.
- Добавил в систему: Котова Мария Сергеевна