|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Механизмы отказов и надежность транзисторов на арсениде галлиястатья
- Авторы: Нечаев А.М., Синкевич В.Ф., Соколова Е.И., Степанова Н.В.
- Журнал: Обзоры по электронной технике, Сер.2 Полупроводниковые приборы
- Том: 2
- Год издания: 1981
- Первая страница: 1
- Последняя страница: 42
- Добавил в систему: Нечаев Андрей Мартэнович